Ár (USD)	Mennyiség (db)	Szállítási (USD)	Összesen (USD)	Szállítási Mód	Fizetés
215	1	0	215	DHL
				DHL

 

FMUSER Eredeti új MRF6VP11KH RF tranzisztoros teljesítmény MOSFET tranzisztor

Az FMUSER MRF6VP11KHR6 elsősorban pulzáló széles sávú alkalmazásokhoz készült, legfeljebb 150 MHz frekvenciával. A készülék páratlan és alkalmas ipari, orvosi és tudományos alkalmazásokhoz.


Jellemzők

Tipikus impulzus teljesítmény 130 MHz-en: VDD = 50 V, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 W csúcs (200 W Átl.), Impulzus szélesség = 100 µs, Üzemeltetési ciklus = 20%
Teljesítményerősítés: 26 dB
Drain Hatékonyság: 71%
10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watts csúcs teljesítmény kezelésére alkalmas
A soros egyenértékű nagy jel impedancia paraméterekkel jellemezhető
CW műveleti képesség megfelelő hűtéssel
Minősített legfeljebb 50 VDD működés
Integrált ESD védelem
Push-Pull üzemmódra tervezték
Nagyobb negatív kapu-forrás feszültség tartomány a továbbfejlesztett C osztályú működéshez
RoHS megfelelő
A Tape and Reel-ben. R6 utótag = 150 egység / 56 mm, 13 hüvelykes orsó

Leírás

Tranzisztor típus: LDMOS
Technológia: Si
Alkalmazási ipar: ISM, Broadcast
Alkalmazás: tudományos, orvosi
CW / impulzus: CW
Frekvencia: 1.8 - 150 MHz
Teljesítmény: 53.01 dBm
Teljesítmény (W): 199.99 W
P1dB: 60.57dBm
Csúcsteljesítmény: 1000 W
Pulzált szélesség: 100 us
Duty_Cycle: 0.2
Teljesítményerősítés (Gp): 24–26 dB
Bemeneti visszatérés: veszteség: -16 és -9 dB között
VSWR: 10.00: 1
Polaritás: N-csatorna
Tápfeszültség: 50 V
Küszöbfeszültség: 1-3 Vdc
Megszakítási feszültség- lefolyó-forrás: 110 V
Feszültség - Kapu-Forrás: (Vgs): - 6-10 Vdc
Lefolyás hatékonysága: 0.71
Leeresztő áram: 150 mA
Impedancia Zs: 50 Ohm
Hőállóság: 0.03 ° C / W
Csomagolás: Típus: Karima
Csomag: CASE375D - 05 1. STÍLUS NI - 1230–4
RoHS-kompatibilis: Igen
Üzemi hőmérséklet: 150 ° C
Tárolási hőmérséklet: -65 - 150 ° C

A csomag tartalmazza

1x MRF6VP11KH RF tranzisztor

 

 

Ár (USD)	Mennyiség (db)	Szállítási (USD)	Összesen (USD)	Szállítási Mód	Fizetés
215	1	0	215	DHL
				DHL