FMUSER Eredeti új MGF2430A RF tranzisztoros tápellátás MOSFET tranzisztor-RF tranzisztor-FMUSER FM / TV adás egyablakos szállítója

FMUSER Eredeti új MGF2430A rádiófrekvenciás tranzisztoros tápellátás MOSFET tranzisztor LEÍRÁS Az MGF2430A, GaAs FET N csatornás schottkygate-vel L-Ku sávú erősítőkhöz lett tervezve. JELLEMZŐK ● Nagy kimeneti teljesítmény P1dB = 30.5 dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz ● Nagy lineáris erősítésGLP = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz ● Nagy teljesítményű hozzáadott hatékonyságP.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB ● Hermetikusan lezárt fém csomag Satu

Részlet

Előző:1 db MRFE6VP5300N eredeti RF tranzisztor

Következő:FMUSER Eredeti új MRF173 RF tranzisztoros tápellátás MOSFET tranzisztor

Ár (USD)	Mennyiség (db)	Szállítási (USD)	Összesen (USD)	Szállítási Mód	Fizetés
69	1	0	69	légiposta
				légiposta

FMUSER Eredeti új MGF2430A RF tranzisztoros tápellátás MOSFET Tranzisztor

LEÍRÁS

Az MGF2430A, GaAs FET egy N-csatornás schottkygate-vel, L-Ku sávú erősítőkhöz lett kifejlesztve.

JELLEMZŐK

●Nagy kimeneti teljesítmény: P1dB = 30.5 dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz

●Nagy lineáris erősítés: GLP = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz

●Nagy hozzáadott energia-hatékonyság: P.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB

●Hermetikusan lezárt fém csomag ALKALMAZÁS

●L-Ku sávú erősítőkhez QUALITY

●IGOUTLINE RAJZ

AJÁNLOTT BIAS FELTÉTELEK

●Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500
●Maximális abszolút értéke
●VGDO kapu a forrás feszültségig
●VGSO kapu a forrás feszültségéhez
●IDSS telített leeresztő áram
●IGR fordított kapuáram
●IGF Forward kapu áram
●PT * 1 Teljes teljesítményveszteség
●Tch A csatorna hőmérséklete

●Tstg tárolási hőmérséklet * 1: Tc = 25 ° C (Ta = 25 ° C)