FMUSER 1db Eredeti új MRF317 RF TRANSISTOR, SZÉLES SÁVÚ RF POWER TRANSISTOR-RF Tranzisztor-FMUSER FM / TV Broadcast egyablakos szállító

FMUSER 1db Eredeti új MRF317 RF Tranzisztor, szélessávú RF POWER Tranzisztor Leírás: Elsősorban széles sávú, nagyjelű kimeneti erősítő fokozatokhoz tervezték 30 MHz frekvenciatartományban. Garantált teljesítmény 200 MHz-en, 150 Vdc kimenő teljesítmény 28 W Minimális erősítés = 100 dB Beépített illesztési hálózat szélessávú működéshez 9.0% -ban tesztelve a terhelés minden fázisszögben való eltérésére, 100: 30 VSWR Gold metallizálási rendszerrel a nagy megbízhatóságú, nagy kimeneti telítettséghez ideálisan Carrier / 1 W csúcs AM erősítő szolgáltatáshoz garantált teljesítmény a szélessávú tesztberendezésben. MAXIMÁLIS ADATOK Értékelés CollectorEmitter Voltage CollectorBase Voltage EmitterBase Voltage Collector Current folyamatos Collector Current Peak (120 másodperc)

Részlet

Előző:FMUSER 1db eredeti új MRF6VP3450H oldalirányú N-csatornás szélessávú RF tápellátású MOSFET tranzisztor

Következő:FMUSER 1db Eredeti Új RD70HVF1 RF Tranzisztor

Ár (USD)	Mennyiség (db)	Szállítási (USD)	Összesen (USD)	Szállítási Mód	Fizetés
59	1	0	59	légipostai szállítás
				légipostai szállítás

FMUSER 1db Eredeti új MRF317 RF TRANSISTOR, SZÉLES SÁVÚ RF POWER TRANSISTOR

Leírás:
Elsősorban széles sávú, nagyjelű kimeneti erősítő fokozatokhoz tervezték 30 MHz frekvenciatartományban. Garantált teljesítmény 200 MHz-en, 150 Vdc kimenő teljesítmény 28 W Minimális erősítés = 100 dB Beépített illesztési hálózat szélessávú működéshez 9.0% -ban tesztelve a terhelés minden fázisszögben való eltérésére 100: 30 VSWR Gold metallizálási rendszerrel a nagy megbízhatóságú, nagy kimeneti telítettséghez ideálisan Carrier / 1 W csúcs AM erősítő szolgáltatáshoz garantált teljesítmény a szélessávú tesztberendezésben
Értékelés CollectorEmitter Voltage CollectorBase Voltage EmitterBase Voltage Collector Current folyamatos kollektor áramcsúcs (10 másodperc) Az eszköz teljes disszipációja 25 ° C (1) 25 ° C fölött kell lennie Tárolási hőmérséklet tartomány Szimbólum VCEO VCBO VEBO IC PD Tstg értéke +150 Egység Vdc Adc W W / ° C ° C
Jellegzetes hőállóság, csatlakozás a ház szimbólumához RJC Max 0.65 egység ° C / W

Műszaki adatok:
●A termék tulajdonsága Attribútumérték Keresés hasonló
●Gyártó: FMUSER
●Termék kategória: RF bipoláris tranzisztorok
● Márka: FMUSER
●A termék típusa: RF bipoláris tranzisztorok

●Alkategória: Tranzisztorok

Jellemzők:
●ELEKTROMOS JELLEMZŐK: (TC = 25 ° C, hacsak másképp nem jelezzük.)
●CommonEmitter erősítő áramellátása: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Max) = 6.5 Adc)
●Gyűjtő hatékonysága: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Max) = 6.5 Adc) Terhelés eltérése (VCC = 28 Vdc, Pout 100 W CW, = 150 MHz, VSWR = 30: 1 minden fázisszög)
●GPE Nincs kimeneti teljesítmény romlás dB%