FMUSER Eredeti új MRF171A RF tranzisztoros tápellátás MOSFET-RF tranzisztor-FMUSER FM / TV egyablakos szállító

FMUSER Eredeti új MRF171A rádiófrekvenciás tranzisztoros tápellátás MOSFET tranzisztor Leírás Elsősorban szélessávú nagyjelű kimenethez és meghajtó fokozatokhoz 30–200 MHz-ig. Jellemzők ● N-Channel Enhancement Mode MOSFET ● Kiváló hőstabilitás az A kazetta működéséhez ● Garantált teljesítmény 150 MHz, 28 Vdc frekvencián: Kimeneti teljesítmény = 45 W, ● Teljesítménynövekedés = 17 dB (min) 'Hatásfok = 60% (min) ● Ipari, ● kereskedelmi és amatőr rádióberendezések teljesítményerősítőinek tipikus adatai: ● jellemző teljesítmény 30 MHz, 28 Vdc frekvencián: kimeneti teljesítmény = 30 W, teljesítmény ● erősítés = 20 dB (tipikus) (PEP), hatékonyság = 50 % (tipikus), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (

Részlet

Előző:FMUSER Eredeti új MRF173 RF tranzisztoros tápellátás MOSFET tranzisztor

Következő:MRFE6VP5300N RF POWER MOSFET TRANSISTOR

Ár (USD)	Mennyiség (db)	Szállítási (USD)	Összesen (USD)	Szállítási Mód	Fizetés
56	1	0	56	légiposta
				légiposta

FMUSER Original Új MRF171A RF tranzisztoros tápellátás MOSFET Tranzisztor

Leírás

Elsősorban szélessávú nagyjelű kimenetre és meghajtóra tervezték 30–200 MHz közötti fokozatok.

Jellemzők

●N-Channel Enhancement Mode MOSFET
●Kiváló hőstabilitás a C-A működéséhez
●Garantált teljesítmény 150 MHz, 28 Vdc frekvencián: Kimeneti teljesítmény = 45 W,
●Teljesítménynövekedés = 17 dB (perc) 'Hatásfok = 60% (perc)
●Jellemző adatok az ipari erősítők alkalmazásához

●Kereskedelmi és amatőr rádióberendezések:

●Tipikus teljesítmény 30 MHz-en, 28 Vdc-n: Kimeneti teljesítmény = 30 W, Teljesítmény

●erősítés = 20 dB (tipikus) (PEP), hatékonyság = 50% (tipikus), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (tipikus)
●Arany felső fém
●Alacsony Crss - 8 pF @ VDS = 28 V
●100% -ban tesztelték a terhelés eltérését minden fázisszögben, 30: 1 VSWR-rel
●Megkönnyíti a kézi erősítés vezérlését, az ALC és a modulációs technikákat