FMUSER eredeti MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF tranzisztoros tápellátás MOSFET tranzisztor N-csatornás-RF tranzisztor-FMUSER FM / TV műsorszórás egyablakos szállítója

FMUSER Eredeti MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF teljesítménytranzisztor MOSFET tranzisztor N-csatornás jellemzők: ● Cikkszám MRF173CQ ● Leírás FET RF 65V 150MHZ 316-01 ● Részletes leírás RF Mosfet N-Channel 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, 2. stílus ● MRF173CQ adatlapok ● Környezetvédelmi információk RoHS tanúsítvány ● HTML adatlap MRF173CQ Leírás: ● Csomagolás: Tálca ● Alkatrész állapota: Aktív ● Tranzisztor típusa: N-csatorna ● Frekvencia: 150MHz ● Nyereség: 13dB ● Feszültség - Teszt: 28V ● Áramérték (Amper) : 9A ● Zaj ábra: 1.5dB ● Áram - Teszt: 50mA ● Teljesítmény - Kimenet: 80W ● Volt

Részlet

Előző:FMUSER Eredeti BLF888A 600W 50V UHF tápellátás LDMOS RF tranzisztor

Következő:FMUSER Eredeti SRF3999 28V 50mA 150MHz 80W RF tranzisztor

Ár (USD)	Mennyiség (db)	Szállítási (USD)	Összesen (USD)	Szállítási Mód	Fizetés
79	1	0	79	légiposta Szállítás
				légiposta Szállítás

FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF tranzisztoros tápellátás MOSFET tranzisztor N-csatornás

Jellemzők:

● Gyári szám MRF173CQ

● Leírás FET RF 65V 150MHZ 316-01
● Részletes leírás RF Mosfet N-Channel 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, 2. stílus
● Műszaki adatlap MRF173CQ

● környezetvédelmi információk RoHS tanúsítvány

● HTML adatlap MRF173CQ

Leírás:
● Csomagolás : Tálca
● Alkatrész állapota: Aktív
● Tranzisztor típusa: N-Channel
● Frekvencia: 150MHz
● Nyereség: 13dB
● Feszültség - Teszt: 28V
● Aktuális névleges érték (amper): 9A
● Zaj ábra: 1.5dB
● Aktuális - Teszt: 50mA
● Teljesítmény - Kimenet: 80W
● Feszültség - Névleges: 65V

Alkalmazások:

Szélessávú kereskedelmi és katonai alkalmazásokhoz tervezték, 200 MHz-es frekvenciatartományig. Ennek az eszköznek a nagy teljesítményű, nagy nyereségű és szélessávú teljesítménye lehetővé teszi a szilárdtest adók használatát az FM műsorszóráshoz vagy a TV csatornák frekvenciasávjaihoz, az N – csatorna fokozási módhozMOSFET

paraméterek:
N – Csatorna fokozás mód MOSFET
● Garantált teljesítmény 150 MHz, 28 V frekvencián:
Kimeneti teljesítmény = 80 W
Erősítés = 11 dB (13 dB tipikus)
Hatékonyság = 55% Min. (60% tipikus)
● Alacsony hőállóság
● Ellenállóképességet teszteltek a névleges kimeneti teljesítményen
● Nitrid passzivált szerszám a fokozás érdekében
● a megbízhatóság
● Alacsony zajszint - 1.5 dB tipikus. 2.0 A, 150 MHz-en

● Kiváló hőstabilitás; alkalmas az A osztályú műveletekre