Az FMUSER eredeti MRF151 To-59 magas frekvenciájú csöve

Áttekintés

Az MRF sorozatú eszközök nagy teljesítményű 1MHz-3.5GHz-es bipoláris RF tranzisztorok. Ezek a bipoláris Tech tranzisztorok ideálisak repülési, kommunikációs, radar-, valamint ipari, tudományos és orvosi alkalmazásokhoz. Az MRF sorozatú eszközök az RF teljesítménytranzisztorok széles skálájának részét képezik, amely raklap-erősítőket, TMOS és DMOS tranzisztorokat és LDMOS tranzisztorokat is tartalmaz.

● Garantált teljesítmény 30 MHz, 50 V frekvencián:
● Kimeneti teljesítmény - 150 W
● Nyereség - 18 dB (22 dB Typ)
● Hatékonyság - 40%
● Jellemző teljesítmény 175 MHz, 50 V frekvencián:
● Kimeneti teljesítmény - 150 W
● Nyereség - 13 dB

● Alacsony hőellenállás
● A névleges kimeneti teljesítménynél tesztelt szilárdság
● A nitridekkel passzivált sajt fokozza a megbízhatóságot

Leírás 

RF MOSFET tranzisztorok 5-175MHz 150Watt 50Volt Gain 18dB. Széles sávú kereskedelmi és katonai alkalmazásokhoz tervezték 175 MHz-es frekvencián. Ennek az eszköznek a nagy teljesítménye, nagy nyeresége és szélessávú teljesítménye lehetővé teszi a szilárdtest-adókat FM-sugárzásokhoz vagy TV-csatornák frekvenciasávjaihoz.

Leírás

● Termék kategória: RF MOSFET tranzisztorok
● Tranzisztor polaritása: N-Channel
● Id - Folyamatos leeresztőáram: 16 A
● Vds - Drain-Source lebontási feszültség: 125 V
● Nyereség: 13 dB
● Kimenő teljesítmény: 150 W
● Minimális üzemi hőmérséklet: - 65 ° C
● Maximális üzemi hőmérséklet: + 150 ° C
● Szerelési Stílus: SMD / SMT
● Csomag / tok: 221-11-3
● Csomagolás: Tálca
● Konfiguráció: egyetlen
● Működési frekvencia: 175 MHz
● Pd - Teljesítmény-eloszlás: 300 W
● A termék típusa: RF MOSFET tranzisztorok
● Gyári csomag mennyiség: 20
● Alkategória: MOSFET
● VGS - kapu-forrás feszültség: 40 V
● VG th - kapu-forrás küszöbfeszültség: 3 V