Kedvenc hozzáadása set Homepage
Pozíció:Kezdőlap >> Termékek >> RF Transistor

termékek kategória

termékek Címkék

Fmuser Sites

FMUSER Eredeti új MRF6VP2600H RF teljesítménytranzisztor MOSFET tranzisztor 500MHz 600W oldalsó N-csatornás szélessáv

FMUSER Eredeti új MRF6VP2600H RF tranzisztor MOSFET tranzisztor 500MHz 600W Oldalsó N-csatornás szélessávú áttekintés Az MRF6VP2600H elsősorban szélessávú alkalmazásokhoz készült, legfeljebb 500 MHz frekvenciával. Az eszköz páratlan és alkalmas sugárzott alkalmazásokban való használatra. Jellemzők * Tipikus DVB-T OFDM teljesítmény: VDD = 50 V, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watt Átl., F = 225 MHz, Csatorna sávszélesség = 7.61 MHz, Bemeneti jel PAR = 9.3 dB @ 0.01% Valószínűség a CCDF-en. Teljesítménynövekedés: 25 dB Lefolyási hatékonyság: 28.5% ACPR @ 4 MHz Eltolás: –61 dBc @ 4 kHz Sávszélesség * Tipikus impulzus teljesítmény: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Wattcsúcs, f = 225 MHz, Pulzusszélesség = 100

Részlet

Ár (USD) Mennyiség (db) Szállítási (USD) Összesen (USD) Szállítási Mód Fizetés
245 1 35 280 DHL

 


FMUSER Eredeti Új MRF6VP2600H RF teljesítménytranzisztor MOSFET tranzisztor 500MHz 600W Oldalsó N-csatornás szélessáv

Áttekintés

Az MRF6VP2600H elsődlegesen széles sávú alkalmazásokhoz használható, frekvenciákkal akár 500 MHz-ig. Az eszköz páratlan, és alkalmas a műsorszórási alkalmazásokhoz.



Jellemzők

Tipikus DVB-T OFDM teljesítmény: VDD = 50 V, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watt Átl., F = 225 MHz, Csatorna sávszélesség = 7.61 MHz, Bemeneti jel PAR = 9.3 dB @ 0.01% Valószínűség a CCDF-en. : 25 dB Lefolyási hatékonyság: 28.5% ACPR @ 4 MHz Eltolás: –61 dBc @ 4 kHz Sávszélesség

Tipikus impulzus teljesítmény: VDD = 50 V, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 W csúcs, f = 225 MHz, impulzusszélesség = 100 µs, munkaciklus = 20% Teljesítményerősítés: 25.3 dB Lefolyási hatékonyság: 59%

10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 Watts csúcs teljesítmény, impulzusszélesség = 100 µsec, terhelési ciklus = 20%

Jellemzője a sorozat egyenértékű nagy jelű impedancia paraméterek

CW műveleti képesség megfelelő hűtéssel

Minősített, legfeljebb 50 VDD működésig

Integrált ESD védelem

Push-Pull üzemmódra tervezték

Nagyobb negatív kapu-forrás feszültség tartomány a továbbfejlesztett C osztályú működéshez

RoHS megfelelő

A szalag és a tekercs. R6 utótag = 150 egység 56 mm-enként, 13 hüvelyk tekercs.



Leírás

Frekvencia (min) (MHz): 2

Frekvencia (Max.) (MHz): 500

Tápfeszültség (Typ) (V): 50

P1dB (Typ) (dBm): 57.8

P1dB (Typ) (W): 600

Kimeneti teljesítmény (Typ) (W) @ Intermodulációs szint a tesztjelen: 125.0 @ AVG

Tesztjel: OFDM

Power Gain (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Hatékonyság (Typ) (%): 28.5

Hőrezisztencia (Spec) (℃ / W): 0.2

Egyezés: páratlan

Osztály: AB

Die technológia: LDMOS




 

 

Ár (USD) Mennyiség (db) Szállítási (USD) Összesen (USD) Szállítási Mód Fizetés
245 1 35 280 DHL

 

Hagyjon üzenetet 

Név *
E-mail *
WhatsApp/Viber
Székhely
Kód Lásd az ellenőrző kódot? Kattintson frissíteni!
Üzenet
 

Üzenetlista

Hozzászólások Loading ...
Kezdőlap| Rólunk| Termékek| Hírek| Letöltés| Támogatás| Visszacsatolás| Kapcsolatba lép velünk| szolgáltatás

Kapcsolat: Zoey Zhang Web: www.fmuser.net

WhatsApp / Wechat: + 86 183 1924 4009

Skype: tomleequan E-mail: [e-mail védett] 

Facebook: FMUSERBROADCAST Youtube: FMUSER ZOEY

Cím angolul: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., Guangzhou, China, 510620 Cím kínaiul: 广州市天河区黄埔大道西273尷栘)